发布时间:
2020
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04
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近段时间，除了聚焦海外“疫情”，三星、美光等128层的3D NAND技术发展备受关注。从2013年的24层3D NAND，发展到如今的128层，甚至有业界人士预计在未来5年内，3D NAND堆叠层数将达到500层，10年内将可达到1000层。3D NAND层数越来越高，对存储技术的发展的有什么作用？对闪存、SSD的又会有什么样的影响？ 要聊3D NAND闪存价值，宏旺半导体带大家快速回顾一下NAND的发展史。NAND是非易失性闪存存储器，所谓的非易失性可以简单的理解为——在断电的情况下数据不会丢失，会保持长期的存储。 就像机械硬盘提高容量密度主要靠增加碟数一样，增加堆栈的层数，也是NAND闪存提高密度的主要手段。随着人们需求的不断增加，受到有限宽度和长度尺寸内容纳存储器单元的限制。2D NAND容量已达到其开发的极限，利用2D NAND很难在SSD容量方面上继续增加。于...