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发布时间: 2020 - 04 - 09 点击次数: 52
前面我们讲到了固态硬盘的接口、协议等,除此之外,对固态硬盘的读写速度的主要影响因素之一就是数据通道,在固态硬盘介绍中经常会看到PCI-E通道、SATA通道这样的描述,它们之间有什么区别呢?什么因素决定了固态硬盘要走的通道?如何判断NVMe固态硬盘中的通道数量? SATA通道在读写数据的时候,数据需要经过内存再到达CPU或者硬盘,而PCI-E通道则是通过总线直接连接CPU和硬盘,省掉了内存这一节点,据宏旺半导体了解,因而PCI-E通道在传输上没有延迟,自然读写速度更快,数据量也更大。 关于固态硬盘的通道存在着一个误区,就是有些人觉得M.2固态硬盘就是PCI-E通道,但其实不对,M.2固态硬盘也有SATA通道的,M.2接口之所以会有PCI-E SSD和SATA SSD,是因为两者所走的通道不同。此外,即使是使用PCI-E通道的固态硬盘,在不同的主板上可能速度也不一样。...
发布时间: 2020 - 04 - 08 点击次数: 76
随着5G、人工智能、AIOT的发展,如今智能音响、行车记录仪、安防监控等智能设备对于存储的需求越来越大,对当前比较受市场欢迎的主流存储产品之一,存储卡的性能要求也越来越高。虽然存储卡的应用场景很多,市场也很大,但新手小白们对于存储卡参数、标识和一些专业术语不太清楚,譬如存储卡的class是什么意思,今天帮大家科普一下,关于存储卡的参数知识。 目前市面上常见的存储卡主要包括SD卡和MicroSD卡/TF卡两种规格,如今TF卡已逐渐成为主流。据宏旺半导体了解,SD卡的尺寸为24mmx32mmx2.1mm,被称为大卡,一般应用在高清照、摄像机等领域;MicroSD卡的尺寸为15mmx 11mmx 1mm,被称为小卡,应用范围较广比如手机、安防监控、行车记录仪等等。 在挑选存储卡时,最重要的参数之一就是速度。大多数存储卡以MB / s 表示传输速度,或者用数字+“x”的形式表示...
发布时间: 2020 - 04 - 08 点击次数: 56
早期智能手机嵌入式存储主流方案为NAND,即把SLC NAND Flash与低功耗DRAM封装在一起,具有生产成本低、技术相对成熟等优势,随着科技和智能设备的发展,SLC NAND Flash已很难满足手机对存储容量的需求,eMMC采用统一的MMC标准接口,将存储芯片(NAND Flash)及其控制芯片封装在一颗BGA芯片内。 eMMC标准主要是为了解决Flash纳米制程技术升级带来的品质、可靠性下跌的问题,满足用户对高性能、高可靠性存储需求而开发的芯片,主要应用于需要大容量数据存储的手持终端产品。随着eMMC产品功能增加、速度大幅度提升,譬如,宏旺半导体推出的eMMC已被智能手机、中高端平板电脑、超极本、智能电视以及服务器等产品广泛应用。 如今,国外疫情愈发严重,在全球经济增速下降的大背景下,数据中心市场不能独善其身,互联网企业作为服务器厂商的重要客户,其主要收入来源...
发布时间: 2020 - 04 - 02 点击次数: 42
由于内存条种类繁多,参数多样,很多小白DIY电脑的,会发现购买内存条是件头疼的事。大家对内存容量以及内存频率关注较多,而对内存时序却关注的很少,其实内存时序也是内存的参数之一,内存时序究竟有多重要呢? 内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,如16-18-18-36。宏旺半导体了解到,第四个参数经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。 CL对内存性能的影响是最明显的,所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上,而后面的三个数字都是最小周期数。CL的英文全称是CAS Latency,意思就是CAS的延迟时间,从中文意思中可以看出来这个数字越小延迟也就越小,一般DDR4的CL值在14-16就...
发布时间: 2020 - 04 - 01 点击次数: 45
手机闪存虽然大家平时在使用手机时感知不强,但是却非常重要,无论是应用的安装/启动还是文件/视频的传输等都要用到手机闪存。 前段时间,小米正式官宣了新款小米10系列手机,采用了LPDDR5+UFS3.0方案,后来小米副总裁卢伟冰也表示,相比较于UFS3.0,UFS3.1增加了Write Turbo、Deep Sleep、HPB三个功能,而JEDEC标准组织在2020.1发布了更新版,加入了HPB,目前看HPB的成熟度还欠缺。宏旺半导体今天还为大家科普一下UFS3.0和UFS3.1的差异,并分析Write Turbo、Deep Sleep、HPB三个功能分别指什么意思? 据宏旺半导体了解,相较于UFS3.0,UFS3.1主要加入了三个新特性写入增强器(Write Turbo)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能限制通知(Performance Throttling No...
发布时间: 2020 - 04 - 01 点击次数: 41
2020开年以来,各大手机厂商的新机发布让LPDDR5小火了一把。随着5G时代的到来,LPDDR5商用也渐渐提上了日程,尽管当下能搭载LPDDR5的处理器并不多,毕竟5G手机的普及也还需要一定的时间。相比较于LPDDR5来说,LPDDR4X已经是当前市场上主流的手机内存,那么搭载LPDDR4X内存的手机究竟有什么优势呢? 宏旺半导体之前说过,LPDDR英文全称是Low Power Double Data Rate的缩写,直译中文含义“低功耗双重数据比率”,专业来说是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,专门用于手机/平板等移动电子产品中,通俗说的就是低功耗移动内存,PC端的内存通常我们简称为DDR,因此二者其实原理一样,但尺寸形态不同。 关注手机参数的朋友,对于LPDDR4、LPDDR3,甚至是最新的LPDDR4X可能都不会陌生,它就是手机运行内存(RAM),类...
发布时间: 2020 - 03 - 31 点击次数: 78
如今,eMMC已发展成为当红的便携移动产品解决方案之一,之前宏旺半导体有说过eMMC的工作原理,今天跟大家聊聊eMMC与NAND Flash有什么区别和联系。 首先我们要认识Flash,Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块。上个世纪八十年代,日本发表了NAND Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND Flash的晶片容量相对于NOR大,更像硬盘,写入与清除资料的速度远快于NOR,所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广泛应用在各种存储设备上,可存储代码和资料。  NAND Flash的存储单元从最初的SLC, 到2003年开始兴起MLC,发展至今,SLC已经淡出主流市场,主流存储单元正在从MLC向TLC迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展,使得同样大小的芯片有更高...
发布时间: 2020 - 03 - 28 点击次数: 59
很多小伙伴可能对接口、协议、通道这些都还没明白,就匆忙上车SSD。最近有网友问,说买固态硬盘别人跟他推荐NVMe的,不清楚NVMe是什么,又有什么好处。为了让大家更好地选购自己心仪的SSD,今天宏旺半导体就来详细跟大家说下关于固态硬盘NVMe的那些事儿。 首先,NVMe,全称为Non-Volatile Memory Express,我们拆开翻译,Non-Volatile Memory中文译名为非易失性存储器。 熟悉存储的都知道,存储器根据断电后是否能够存储数据为标准分为易失性和非易失性,我们常用的优盘、闪存卡等存储产品就是非易失性存储器,当然固态硬盘产品也是非易失性存储器了。而此处的Express,指的是通道或是规范。 所以,宏旺半导体总结一下,NVMe是一种基于非易失性存储器的传输规范或者是协议,此协议目的在于充分利用PCI-E通道的低延时以及并行性,还有当代处理器、...
发布时间: 2020 - 03 - 27 点击次数: 218
我们在购买电子产品时,常常听到FLASH闪存这个词。但对于基础小白来说,可能常常搞不清楚SPI Flash、Nand Flash、Nor Flash等都是指什么,今天宏旺半导体就跟大家通俗易懂地讲解一下。 首先,我们了解一下Flash闪存本身,它则是一种非易失性存储,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash按照内部存储结构的不同,可以分为两种:Nor Flash和Nand Flash。 Nor Flash 和Nand Flash的区别 宏旺半导体打个比方说,Nor Flash更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND的成本较NOR来说很低,...
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