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5G基站供应链国产化全面开启,宏旺半导体加速5G存储产品应用

日期: 2020-07-17
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进入下半年,全国5G基站的建设进一步加速。工信部部长苗圩曾在全国两会期间表示,现在每周大概增加1万多个5G基站,预计到年底中国的5G基站将超过70万站。作为引领经济复苏的5G新基建,这一庞大的建设工程将为5G的网络覆盖和能力提升提供极大助力。

 

5G基站供应链国产化全面开启,宏旺半导体加速5G存储产品应用

图片来源:电子发烧友

 

5G的增强移动带宽、高可靠低时延、海量物联三大运用场景将催生物联网、车联网、AR/VR、超高清视频等领域的发展。海量数据的增加将对计算机计算能力带来挑战,对存储提出更大的需求。

  

 5G基站供应链国产化全面开启,宏旺半导体加速5G存储产品应用


作为致力于国产化替代的民族企业,宏旺半导体ICMAX的存储芯片产品不仅广泛运用在企业、家庭和个人的光猫、路由器等网通设备,还加速进入5G核心网、骨干网等基站建设内部,致力于为5G建设提供完全国产化的存储器产品。

 

随着3D NAND闪存芯片生产工艺的成熟,以及产能的不断提高,闪存芯片的成本也在不断下降。据IDC数据显示,2019年全球内置存储市场同比下降3.0%,但中国全闪存阵列将继续保持高增长。经IDC预测,2020年中国全闪存存储市场增长速率将达到40%。这也显示了闪存芯片在国内市场的巨大潜力。

 

在这一背景下,宏旺半导体推出了迎合当前市场需求的eMMC、eMCP、SLC NAND FLASH等闪存芯片,经过全方位的测试与验证,在容量及性能方面已得到行业内的认可。

 

eMMC

 

eMMC采用统一的MMC标准接口,将NAND Flash及其控制芯片封装在一颗BGA芯片内,极大地满足了用户高性能、高可靠性的存储需求。宏旺半导体推出的eMMC具有高效、高速、高兼容、高带宽、持续稳定等特性。

 

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推出的11.5×13.0×1.0mm的尺寸规格,能适用于不同规格的产品;读写速度快,eMMC5.1最大读取速度是136MB/s 、写入速度是80MB/s;容量范围广泛,最高可达128GB;能满足各种严苛环境下的存储需求,消费级工作温度为 -25°C~70°C ,工业级的为-40°C~85°C。

 

eMCP

 

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采用原装NAND Flash晶片及先进的BGA封装工艺,把eMMC和LPDDR进行精密地整合封装,从而实现了小体积内的一体化,大数据后的高效化、智能化。具有独创的ECC、CRC、断电保护、固件备份、均衡磨损等特性,可有效帮助客户提升使用效率,降低使用成本,提升存储体验,提高产品的持续性与稳定性。同时,与MTK、展讯、高通等各大主流平台高度兼容,不用担心产品适配性问题。

 

SLC NAND FLASH

 

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SLC NAND FLASH是一种高性能、高性价比的存储解决方案,弥补了SPI NOR FLASH容量低、价格高、速度低的缺陷,可提供更高的可靠性、更健壮的纠错性能、更长期的产品生命周期。为确保产品的稳定性,宏旺半导体的Parallel SLC NAND采用工业级SLC,经过了严格的封装、测试和认证,以满足高阶应用市场对高速度、高质量、高可靠性的需求。

 

由于疫情的影响,智能手机进入存量博弈时代,但软件运用不断丰富推升消费者对手机内存的需求,大内存成为各大终端厂商新型智能手机的卖点。根据DRAMExchange数据,2019年全球智能手机平均DRAM容量约为4.4GB,2020年有望提升至5GB,同比增长13.6%。

 

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图片来源:ZQtechnology

 

5G移动通讯技术落地运用将掀起新一轮换机热潮,智能手机有望重回正增长,DRAM更是需求进一步扩大。根据赛迪顾问数据,2019年至2021年我国mobile DRAM市场规模复合增长率将达到27.99%。

 

在这一片蓝海市场中,宏旺半导体推出的DDR、LPDDR广运用于手机、平板机顶盒、智慧音箱、安防摄像机、可穿戴设备中,并一直保持着稳定的增长。两个产品的区别主要体现在通道宽度上,LPDDR 没有固定的总线宽度,目前最常见的为32位总线,总线位数更低,同时采用更低的电压,能够大大降低LPDDR的待机功耗。

 

LPDDR

 

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LPDDR全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR的一种,以低功耗著称。宏旺半导体目前已推出 LPDDR3/4/4×,并且已量产的LPDDR4X容量最高达64Gb,封装尺寸为VFBGA 200Ball 10.0×14.5mm 等,工作温度-25°C~85°C ,工作电压1.35V/1.5V,工作频率1866Mhz等,具备高性能的多任务处理功能,能迅速流畅地应对庞大、复杂的工作环境。

 

DDR

 

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DDR作为应用最广泛的动态随机存取存储器,被应用于路由器、光猫等设备中,DDR允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM 的两倍。以宏旺半导体推出的高品质DDR4为例,容量为256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16,封装尺寸为BGA 96Ball  8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm,工作温度0°C~85°C,并具有2666 Mbps 的工作频率,能够以出色的速度传输数据,可以快速、轻松地处理大量工作负载。

 

此外,宏旺半导体的存储产品还包括MCP/D FLASH/SSD/内存条/TF卡等,每一款产品均经过严苛的高低温老化磨损、擦写寿命、全套可靠性等品质测试。凭借高兼容性、高集成、大容量等特点,目前已在全球范围为创维、中兴、TCL等多家客户服务。

 

5G基站供应链国产化全面开启,宏旺半导体加速5G存储产品应用 

在国外技术牵制不断升级的当下,填补技术空白,构建产业链条,降低海外依赖的行动刻不容缓。未来,宏旺半导体将全面服务于方兴未艾的5G、IoT等,致力于为更多智慧家庭、智能办公、物联网等不同的场景和行业提供高性能、高稳定性的存储产品和解决方案。

 


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