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宏旺半导体分析RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash之间的区别

日期: 2019-10-31
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在很长一段时间,宏旺半导体带来了存储各个版块的干货,可以翻阅往期文章查阅,今天宏旺半导体将做个小总结,系统阐述存储器,有不出入的地方欢迎指出哦。

 

存储介质基本分类:ROM和RAM

 

RAM随机访问存储器(Random Access Memory),易失性。是与CPU直接交换数据的内部存储器,它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。它的作用是当开机后系统运行占一部分外,剩余的运行内存越大,手机速度越快,运行的程序越多,剩余越少。

 

ROM只读存储器(Read Only Memory),非易失性。一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定,断电后所存数据也不会改变。计算机中的ROM主要是用来存储一些系统信息,或者启动程序BIOS程序,这些都是非常重要的,只可以读一般不能修改,断电也不会消失。关于ROM的一些新发展,宏旺半导体也在之前的文章中详细讲过。

 

今天要带来的内容就在下面一张图里,先来讲讲RAM和ROM,两者相比,的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM不会自动消失,可以长时间断电保存。

宏旺半导体分析RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash之间的区别

随机访问存储器:RAM

 

随机访问存储器分为两类:静态的和动态的。静态的RAM(SRAM)比动态RAM(DRAM)更快,但也贵很多。SRAM用来作为高速缓存存储器,既可以在CPU芯片上,也可以在片下。DRAM用来作为图形系统的帧缓冲区。

 

SRAMSRAM存储器单元具有双稳态特性,只要有电,它就会永远的保持它的值(有点类似ROM易失性)。即使有干扰来扰乱电压,当干扰消除时,电路就会恢复到稳定值。

 

DRAM动态RAM。

 

SDRAM同步DRAM。

 

DDR SDRAM(Double Data-Rate Synchronous DRAM)双倍数据速率同步 DRAM。

 

DDR2不同类型的DDR SDRAM。

 

DDR3不同类型的DDR SDRAM。

 

RAM断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。现在手机中的RAM一般是由LPDDR担当,尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗舰手机中占比较大,宏旺半导体今年也推出了LPDDR4X 8GB,满足市场应用所需,广泛应用于手机、平板、超薄笔记本等领域。

宏旺半导体分析RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash之间的区别

 

只读存储器:ROM

 

计算机存储器在其上数据已被预先记录。一旦将数据写入ROM 芯片,就无法将其删除,只能读取。与主存储器(RAM)不同,即使计算机关闭,ROM也会保留其内容。ROM被称为非易失性,现在有很多非易失性存储器。由于历史原因,虽然ROM中有的类型可以读也可以写,但是整体上都被称为只读存储器(Read Only Memory)。ROM是以它们能够被重新编程(写)的次数和对它们进行重编程所用的机制来区分的。

 

PROM(Programmable ROM):可编程ROM,只能被编程一次。

 

EPROM(Erasable Programmable ROM,EPROM):可擦写可编程ROM,擦写可达1000次。

 

EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)电子可擦除EPROM。

 

闪存(flash memmory):基于EEPROM,它已经成为一种重要的存储技术。固态硬盘(SSD)U盘等就是一种基于闪存的存储器。

 

nor flash :NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

 

nand falsh:NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

 

宏旺半导体分析RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash之间的区别

 

希望这篇文章能给大家带来帮助,更系统地了解存储器,有任何有疑问的地方都可以来找宏旺半导体,欢迎关注哦~

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