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宏旺半导体一文解答DDR内存时序高好还是低好

日期: 2020-04-02
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由于内存条种类繁多,参数多样,很多小白DIY电脑的,会发现购买内存条是件头疼的事。大家对内存容量以及内存频率关注较多,而对内存时序却关注的很少,其实内存时序也是内存的参数之一,内存时序究竟有多重要呢?

 

内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CLTRCDTRPTRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,如16-18-18-36。宏旺半导体了解到,第四个参数经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T1T,也写作2N1N

 

CL对内存性能的影响是最明显的,所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上,而后面的三个数字都是最小周期数。CL的英文全称是CAS Latency,意思就是CAS的延迟时间,从中文意思中可以看出来这个数字越小延迟也就越小,一般DDR4CL值在14-16就是一个不错的数值了,不少低延迟高超频能力的内存条还会将CL值压缩到11,这样的内存条延迟会更低,从而获得同频率下更好的性能。

 

宏旺半导体一文解答DDR内存时序高好还是低好

 

内存时序参数影响随机存储存储器速度的延迟时间,较低的数字通常意味着更快的性能,所以在同代同频率的情况下,内存时序越小越好,一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字,也就是CL值,数字越小越好。

 

宏旺半导体举个例子,内存的时序就是我们这个仓库的物流人员找到货物,并把货物装上车的时间,一般来说,货车的载重越大(内存条的频率越高),物流人员找到这些货物和装车所耗费的时间也就越长,所以如果是相同频率的内存条,时序CL值是越小越好(表示物流人员工作效率高)。目前普通的DDR4内存,主流频率为2400MHz,时序是CL15-17数值左右。

 

那么,了解了内存时序的参数以后,究竟该如何去选择内存条呢?其实在选择内存的时候,内存时序并不是放在第一位去考虑的。而是先看容量,再看频率,最后再去对比内存时序。

 

如果内存容量,频率都相同的情况下,时序自然是越低越好。不过内存时序对于内存性能的影响非常小,除了跑分软件会体现出一点差异,在正常使用电脑的时候你根本感觉不出来的,与其在内存时序上纠结,还不如选个靠谱的品牌更为稳妥。

 

宏旺半导体一文解答DDR内存时序高好还是低好

 

作为国内资深存储品牌,宏旺半导体推出的DDR4 SODIMM,由专业研发团队自主开发设计,工作电压为1.2V,内存时序为17-17-17,工作温度0℃至70℃,260 - pin SODIMM封装,拥有高容量、高性能等优势,以及可靠性保障,可满足电脑等主流市场的需求。DDR42600的频率,超高频率更适合扁平化生活的需求。同样,兼容性之类的问题更是不用担心,主流的安卓、Windows等平台都没有问题。


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